聯繫人:劉先生
電 話:86-10-58237160
E-mail:liusp@beijingec.com
儀器介紹
比起反射法來說,橢圓偏光儀的Psi和Del這兩個參數,提供了更多的信息。因此,通過橢圓偏光技術,更多的信息可以被容易的獲取,例如,多層薄膜分析、介電常熟的計算、表面或界面的粗糙度、不均勻性分析等。
Angstrom sun SE系列橢偏膜厚測試儀廣氾應用於:
1對於薄膜、塗層、大基底的光學常數(折射率n和消光係數k)
2 對於薄膜的非破坏性準確厚度測量。
3對於各種薄膜中合金濃度的測定,例如SiGe合金中Ge的測定、AlGaN膜中Al的測定。
4對於GaN、SiC、AlN、AlGaN等,它們帶隙的測定。
5在低介電常數下測定薄膜的孔隙率。
6測定納米復合材料中所含每種成分的體積比含量。
7可以測定多層堆疊或者像量子阱結構的週期性結構中的每一層的物理厚度和光學特性。
8對薄膜在密度或合金的濃度上的不均勻性進行分析
8分析高介電常數薄膜的光學特性
9金屬薄膜、金屬化合物(例如WN、TiN、TaN等)、 摻雜半導體epi層(同時也決定了厚度)及其他的諸如ITO薄膜等復合氧化物的電導率進行無損檢測。
10摻雜半導體摻雜濃度的無損檢測
技術參數
•波長範圍:250nm~ 1000nm
•波長分辨率:1nm
•光斑尺寸:1~ 5mm
•入射角範圍:10~ 90度
•入射角分辨率:0.01度
•數字圖像:130萬像素
•有效放大倍率:x 1200
•物鏡的長工作距離:12mm
•中型光束尺寸:2 - 500㎛
•樣品尺寸: 直徑300mm
•基板尺寸:最厚20mm
•可測量厚度範圍:1Ǻ ~10㎛
•測量時間:〜1s/Site
•精度:優于0.25%
•重複性:<1 Ǻ